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PolarHT TM
Power MOSFET
IXTK 82N25P
IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 82 A
≤ 35 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXTK)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
250
250
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
82
75
200
60
40
V
V
A
A
A
A
mJ
G
D
S
TO-3P (IXTQ)
(TAB)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
1.0
10
J
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
500
W
TO-268 (IXTT)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
G
S
D = Drain
D (TAB)
M d
Mounting torque (TO-3P, TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
S = Source
TAB = Drain
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Weight
TO-3P
TO-264
TO-268
5.5
10
5.0
g
g
g
Features
l
l
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
250
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
35
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99121E(12/05)
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